国家/地区 美国（144） 韩国（139） 中国（42） 欧洲专利局（EPO）（42） 日本（27） 世界知识产权组织（5）
IPC部 B（163）
IPC大类 H01（124） B82（109） C01（83）
B32（53） B01（34） C23（30）
B05（22） G01（10） H05（10）
B44（9） B23（7） G02（7）
C08（6） C09（6） B29（5）
IPC小类 H01L（105） B82Y（95） C01B（83）
B32B（53） H01B（36） C23C（28）
B01J（27） B82B（23） B05D（22）
H01M（12） B44C（9） B01D（8）
H05B（8） G01N（7） B23K（6）
IPC B82Y040/00（59） B82Y030/00（58） C01B031/02（49）
C01B031/04（47） H01L029/16（39） H01B001/04（29）
H01L029/786（28） B32B009/00（25） H01L029/78（25）
H01L021/02（24） H01L029/06（24） B82Y099/00（22）
H01L021/336（20） H01L029/778（19） B82B003/00（17）
发明人 CHOI J（53） SHIN H（41） CHOI J Y（39）
SHIN H J（35） LEE J（27） YOON S（27）
CHUNG H（21） LEE J H（20） CHUNG H J（19）
YOON S M（19） HEO J（18） HEO J S（16）
KIM S（14） LEE S（14） PARK S（14）
公开年 2014（34） 2013（26） 2012（25） 2011（21） 2009（11） 2021（10） 2017（8） 2016（6） 2015（5） 2023（5） 2010（4） 2022（4） 2018（2） 2020（2）
申请年 2013（28）  2012（27）  2011（24）  2010（19）  2014（14）  2020（10）  2008（8）  2016（8）  2021（7）  2015（6）  2009（4）  2022（4）  2017（2） 
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（163）

Chuck assembly used in semiconductor device fabrication system, comprises chuck base includes lower base and upper base that is on lower base, ceramic plate on upper base, and isolator ring enclosing outer sidewall of lower base.

JUNG U, SHIN M, SUNG D, NA D, KIM D, KIM K, JEONG S, JUNG S H, KIMKYUNGSUN, KIM D W, SUNG D Y, SU S M, JUNGUNGYO

Metal particles used in adhesive paste or solder paste for composite bonding structure for semiconductor device, comprises core including metal and shell on surface of core, where shell comprises metal and nanoparticles.

CHU K, LEE J, JUNGHOON L, CHU K M

Multi bridge channel field effect transistor for use in e.g. memories, has gate insulating layer that surrounds first channel layer, and gate electrode that surrounds first channel layer with gate insulating layer.

KIM C, KIM U, JUNG A, BYUN K, JIN Y, JIN C, JUNG A R, BYUN K E

Air filter structure, has graphene filter layer arranged on surface of conductive mesh layer, and air filter structure formed on side of mesh layer by electro-deposition process, where mesh layer is formed with mesh.

PARK S M, SAEMI K, KIM S, PARK H J, BAE L, JUNG Y K, JEONG Y W, HONGSEONGPIL

Method of forming nano crystalline graphene, involves arranging substrate having pattern in reaction chamber, injecting reaction gas into reaction chamber, reaction gas including carbon source gas, inert gas, and hydrogen gas that are mixed, generating plasma of reaction gas in reaction chamber.

LEE C, JUNG A, SHIN H, SHIN K, SHIN K W, SHIN H J, JUNG A R, LEE C S

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Producing graphene-based separator by heat-treating graphene oxide to form nanoporous graphene comprising multiple pores, oxidizing with oxidizing agent to functionalize oxygen functional groups, and stacking functionalized graphene.

KIM D W, KANG J H, KIM I, CHOI D C, RYU S Y

Hybrid bonding structure for manufacturing semiconductor device for electronic device, comprises solder ball and solder paste bonded to solder ball, where solder paste includes transient liquid phase including core and shell on surface of core.

CHU K, SONG B, LEE J

Hybrid bonding structure for use in semiconductor device, comprises core and shell configured to form intermetallic compound in response to transient liquid phase.

LEE J, SONG B, CHU K, CHU K M, JUNGHOON L, LI Z, JOO G

Measuring thickness of graphene layer grown on silicon substrate by using X-ray photoelectron spectroscopy device comprises obtaining signal intensities from graphene layer to emit X-ray radiation and calculating thickness of graphene layer.

LEE E, CHO Y, KIM S, BYUN K, SONG H, SHIN H